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公司生產(chǎn)的一款專(zhuān)業(yè)用于測(cè)量硅片等半導(dǎo)體材料少子壽命的測(cè)試儀器，?廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池制造、半導(dǎo)體材料質(zhì)量評(píng)估及工藝監(jiān)控領(lǐng)域?。其核心功能是通過(guò)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)（QSSPC）和瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)，精確測(cè)量少數(shù)載...
BCT-400是生產(chǎn)的專(zhuān)業(yè)少子壽命測(cè)試儀，主要用于光伏行業(yè)單晶/多晶硅錠的載流子壽命檢測(cè)，具有非接觸測(cè)量、瞬態(tài)/準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)雙模式等特點(diǎn)
半絕緣碳化硅的方阻、電阻率范圍通常在10?—10¹²Ω·cm之間，具體數(shù)值取決于材料純度、摻雜工藝及測(cè)量方法。以下是關(guān)鍵信息：電阻率范圍標(biāo)準(zhǔn)范圍：10?—10¹...
電阻率是衡量材料對(duì)電流的抵抗程度的物理量。電阻正比于通路的長(zhǎng)度，反比于導(dǎo)體材料的橫截面積，電阻率就是這個(gè)比例常數(shù)。電阻率是電導(dǎo)率的倒數(shù)，是材料的基本特性。電阻率通常用希臘字母ρ來(lái)表示，量綱是ML3T-...
半導(dǎo)體晶圓行業(yè)的需求量也在不斷增加。一般的晶圓片厚度有一定的規(guī)格，晶圓厚度對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量都有著重要影響。而集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片特征尺寸也逐漸減小，帶動(dòng)晶圓減薄工藝的興起與發(fā)展，晶...
高功率紅外微波少子壽命測(cè)試是通過(guò)光電導(dǎo)衰減、電阻率分析等技術(shù)手段，評(píng)估半導(dǎo)體材料中非平衡載流子復(fù)合速率的檢測(cè)方法。該方法采用準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)（QSSPC）、高頻光電導(dǎo)衰減（HF-PCD）等獨(dú)特原理，可靈敏...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過(guò)程中諸多因素會(huì)導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV）增大，影響器件性能與良品率。因此，探索提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法，對(duì)推動(dòng)...
高精度少子壽命測(cè)試是評(píng)估半導(dǎo)體材料（如硅、鍺）中少數(shù)載流子復(fù)合速率的關(guān)鍵技術(shù)，廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。少子壽命：去除雜質(zhì)缺陷可延長(zhǎng)壽命，摻入金、鉑或電子輻照可縮短壽命。測(cè)試方法包括準(zhǔn)穩(wěn)...
關(guān)于我們 ABOUT
2021年
公司成立1000萬(wàn)
注冊(cè)資金28個(gè)
專(zhuān)利技術(shù)365天
用心服務(wù)每一天
技術(shù)文章 ARTICLES
2025-08-28非接觸電阻率測(cè)試儀是一種用于測(cè)量材料電阻率的儀器，具有非接觸式的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、材料科學(xué)、物理學(xué)等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的電阻率測(cè)試方法不同，不需要直接接觸被測(cè)材料表面，而是通過(guò)電磁場(chǎng)原理或者光學(xué)原理來(lái)實(shí)現(xiàn)電阻率的測(cè)量。非接觸電阻率測(cè)試儀的原理：1.電磁感應(yīng)原理：通過(guò)向材料施加交變電磁場(chǎng)，并測(cè)量材料的電導(dǎo)率或電阻率。電磁場(chǎng)通過(guò)材料時(shí)，材料的電性性質(zhì)（如電導(dǎo)率）會(huì)影響到電磁波的傳播特性，根據(jù)這一變化可以計(jì)算出電阻率。2.霍爾效應(yīng)原理：霍爾效應(yīng)是指在磁場(chǎng)作用下，帶電粒子在導(dǎo)體中受到...
2025-07-17PN型測(cè)試儀是一種常用于電子行業(yè)中的工具，主要用于測(cè)量半導(dǎo)體材料和器件的特性，尤其是在PN結(jié)（P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸的部分）的性能測(cè)試中。PN結(jié)是現(xiàn)代電子設(shè)備中極其重要的基礎(chǔ)元件，廣泛應(yīng)用于二極管、晶體管等器件的制造中。核心工作原理是基于半導(dǎo)體的電性特征。半導(dǎo)體中的P型和N型區(qū)域形成PN結(jié)，PN結(jié)具有電氣性質(zhì)。在沒(méi)有外加電壓的情況下，PN結(jié)會(huì)形成一個(gè)電場(chǎng)，阻礙電流流動(dòng)。而當(dāng)施加正向電壓時(shí)，電流便可以通過(guò)PN結(jié)流動(dòng)；而施加反向電壓時(shí)，電流幾乎不會(huì)通過(guò)，除非電壓達(dá)到一定值（即...
2025-06-26霍爾遷移率測(cè)試儀的使用過(guò)程涉及到的步驟霍爾遷移率測(cè)試儀的使用過(guò)程通常包括以下關(guān)鍵步驟：準(zhǔn)備工作：檢查儀器：確?；魻栠w移率測(cè)試儀及其附件完好無(wú)損，檢查電源線(xiàn)、連接線(xiàn)等是否齊全。預(yù)熱儀器：根據(jù)儀器要求，可能需要預(yù)熱一段時(shí)間，以確保儀器內(nèi)部處于穩(wěn)定狀態(tài)。記錄參數(shù)：查看并記錄霍爾元件的規(guī)格參數(shù)，如尺寸、導(dǎo)電類(lèi)型及材料等，這些參數(shù)在后續(xù)計(jì)算中會(huì)用到。連接線(xiàn)路：正確接線(xiàn)：按照儀器說(shuō)明書(shū)或?qū)嶒?yàn)要求，將霍爾元件與測(cè)試儀正確連接。通常，霍爾元件的工作電流端和霍爾電壓輸出端需要分別連接到測(cè)試儀的...
2025-06-26霍爾遷移率測(cè)試儀是一種用于測(cè)量半導(dǎo)體材料中載流子遷移率的重要儀器設(shè)備。在半導(dǎo)體和電子器件的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制中，遷移率作為衡量載流子（電子或空穴）在材料內(nèi)部運(yùn)動(dòng)速度的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響器件的性能表現(xiàn)。核心原理基于霍爾效應(yīng)?；魻栃?yīng)是指在導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料中，載流子在磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn)導(dǎo)致橫向電勢(shì)（霍爾電壓）的產(chǎn)生。當(dāng)在樣品中施加垂直于電流的磁場(chǎng)時(shí)，載流子在洛倫茲力作用下偏向一側(cè)，形成霍爾電壓。這個(gè)電壓與載流子濃度、遷移率、施加電場(chǎng)等參數(shù)密切相關(guān)?；魻栠w移率測(cè)試儀的具體工作流程：1....
2025-05-28無(wú)損電阻率測(cè)試儀是一種用于測(cè)試物質(zhì)電阻率的儀器，特別適用于不希望對(duì)樣品造成任何損害的檢測(cè)場(chǎng)合。這種測(cè)試儀廣泛應(yīng)用于工程檢測(cè)、材料分析以及質(zhì)量控制等領(lǐng)域。通過(guò)不同的物理原理和方法，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)材料電阻率的精確測(cè)量，且不會(huì)對(duì)樣品本身產(chǎn)生任何物理或化學(xué)上的影響。無(wú)損電阻率測(cè)試儀的工作原理：1.接觸式測(cè)量原理通過(guò)在材料表面放置電極，施加一定的電流，并測(cè)量電壓降落。根據(jù)歐姆定律\(R=\frac\)（電阻R等于電壓V與電流I之比），可以計(jì)算出電阻值。而電阻率是電阻與樣品的幾何...
2025-04-30遷移率測(cè)試儀是用于測(cè)量材料中載流子（如電子、離子）遷移速率的專(zhuān)業(yè)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新能源電池、納米材料等領(lǐng)域。其通過(guò)精確控制電場(chǎng)、溫度等條件，量化載流子在材料中的移動(dòng)能力，為材料性能評(píng)估與研發(fā)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。一、使用前準(zhǔn)備（一）設(shè)備檢查使用前需全面檢查遷移率測(cè)試儀各部件狀態(tài)。查看主機(jī)外殼是否完好，確認(rèn)顯示屏、操作按鈕、接口等無(wú)損壞；檢查電場(chǎng)發(fā)生裝置、溫度控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集模塊等核心組件連接是否穩(wěn)固。特別要檢查測(cè)試腔密封性，確保無(wú)漏氣、漏液現(xiàn)象，避免外部環(huán)境干擾測(cè)試結(jié)果。同...
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